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1 реактивное ионно-лучевое травление
Russian-german polytechnic dictionary > реактивное ионно-лучевое травление
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2 реактивное ионно-лучевое травление
adjmicroel. reaktives Ionenstrahlatzen, reaktives IonenstrahlätzenУниверсальный русско-немецкий словарь > реактивное ионно-лучевое травление
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3 ионно-химическое травление
advmicroel. chemisch unterstutztes Ionenstrahlatzen, chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen, reaktives Ionenatzen, reaktives IonenätzenУниверсальный русско-немецкий словарь > ионно-химическое травление
См. также в других словарях:
reaktives Ionenstrahlätzen — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Ionenstrahlätzen — Ionenstrahlätzen, Trockenätzverfahren der Halbleitertechnologie, bei dem mit hochbeschleunigten Ionenstrahlen nach dem Prinzip der Kathodenzerstäubung auf einem Wafer Strukturen integrierter Schaltungen herausgearbeitet werden können. Durch… … Universal-Lexikon
Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
décapage par faisceau d'ions réactifs — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reactive ion-beam etching — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
реактивное ионно-пучковое травление — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
